半导体分立器件指的是由具有特定功能的单个器件组成的半导体器件。与集成电路相比，分立器件不如后者功能强大，但其单个器件的能力更为突出。半导体分立器件应用广泛，例如功率电子学领域的IGBT、MOSFET和二极管；安全感知领域的传感器；光电领域的发光二极管和光敏二极管；甚至信号处理领域的运算放大器和比较器都有体现。
随着时代的发展，半导体分立器件不断进步。例如，功率IGBT领域，2008年普通平面结构的实验性IGBT技术以25V的起始电压成功制造；现在已经提高到1200V甚至更高。在尺寸方面，功率器件普遍趋向于小型化，例如，MOSFET在历经不久的发展后，其尺寸可以要比一粒大米小得多，同时也能承受更高的功率。
未来，半导体分立器件将继续发挥重要作用。例如，在智能物联网中，通过使用低功耗分立器件，可以保证更长久的使用时间；在新型发光二极管方面，研究人员正在探索基于无机材料的器件，以提高其稳定性和耐用性。半导体分离器件的发展，将为人类创造更方便，更安全的未来。
