IGBT全名为“Insulated Gate Bipolar Transistor”，中文名称为“隔离栅双极型晶体管”，是一种功率半导体器件。它是继普通MOSFET之后的新型半导体开关元件，并且性能比MOSFET更加优秀。
由于IGBT具有高效、高速、大功率特性，被广泛应用于驱动电机、电源逆变器等领域。IGBT的主要优势在于它的低开关损耗、高频调制特性和快速开关速度。这使得IGBT适用于高频、高电流和高电压应用。同时，IGBT的”开“和”关“速度也比MOSFET要慢一些，但是其能够承受的功率要更大。
IGBT的崛起，解决了MOSFET开关速度过快导致的干扰问题。IGBT最大的优点在于其可以承受比MOSFET更大的电流，从而使得其被广泛应用于一些大功率电子器件中，例如UPS、电力电子等领域。
总体来说，IGBT将MOSFET的高速优势和普通双极型晶体管的承受电流优势结合到了一个器件中，并且这个器件的缺陷被有效解决，因此越来越受到市场的欢迎。
